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NP82N055PUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
9
8
7
6
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
5
4
1000
C oss
3
2
1
0
I D = 41 A
V GS = 10 V
Pulsed
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage – V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
45
V DD = 44 V
10
100
t d(off)
t r
40
35
30
28 V
11 V
V GS
8
6
t d(on)
25
20
4
10
1
V DD = 28 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
t f
15
10
5
0
V DS
I D = 82 A
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
1000
100
10
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4 1.6
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16859EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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